Продукція > WOLFSPEED > C3M0075120J
C3M0075120J

C3M0075120J Wolfspeed

c3m0075120j.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+886.66 грн
2000+ 886.51 грн
5000+ 886.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0075120J Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції C3M0075120J за ціною від 715.52 грн до 1415.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed c3m0075120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1029.82 грн
2000+ 959.56 грн
4000+ 906.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed c3m0075120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+1121.98 грн
100+ 1015.07 грн
250+ 1008.94 грн
500+ 895.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1123.2 грн
10+ 1106.33 грн
50+ 850.78 грн
100+ 822.97 грн
500+ 800.15 грн
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed c3m0075120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+1208.28 грн
100+ 1093.15 грн
250+ 1086.55 грн
500+ 964.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : WOLFSPEED 2329403.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1228 грн
5+ 1224.8 грн
10+ 1220.8 грн
50+ 964.23 грн
100+ 861.94 грн
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : MACOM Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1315.39 грн
10+ 1167.02 грн
25+ 1009.1 грн
50+ 992.69 грн
100+ 896.42 грн
250+ 891.43 грн
500+ 819.4 грн
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1415.57 грн
50+ 1103.75 грн
100+ 1038.83 грн
500+ 883.5 грн
C3M0075120J Виробник : Wolfspeed c3m0075120j.pdf C3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+715.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed c3m0075120j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0075120J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120J C3M0075120J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0075120J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній