![C3M0065100K C3M0065100K](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7373392842191cefe44f2384e1486aae2e705b1e/c3m0010090k_072218_001_2.jpg)
C3M0065100K Wolfspeed
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 1113.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0065100K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0065100K за ціною від 747.5 грн до 1563.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C3M0065100K | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.5W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : MACOM |
![]() |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0065100K Код товару: 126113 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Mounting: THT Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Case: TO247-4 Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Mounting: THT Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Case: TO247-4 Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |