![C3M0065100J C3M0065100J](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2749949-40.jpg)
C3M0065100J WOLFSPEED
![CREE-S-A0011392054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1029.6 грн |
5+ | 1028.8 грн |
10+ | 1028 грн |
50+ | 853.54 грн |
100+ | 787.2 грн |
250+ | 771.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0065100J WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції C3M0065100J за ціною від 816.98 грн до 1540.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A Power dissipation: 113.5W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 14ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
C3M0065100J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A Power dissipation: 113.5W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 14ns |
товар відсутній |