C3M0060065J Wolfspeed
Виробник: Wolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 741.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0060065J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0060065J за ціною від 558.57 грн до 973.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
C3M0060065J |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 136W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| C3M0060065J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 136W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |