C3M0030090K WOLFSPEED
Виробник: WOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3058.4 грн |
| 5+ | 2876 грн |
| 10+ | 2693.6 грн |
| 50+ | 2462.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0030090K WOLFSPEED
Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0030090K за ціною від 2015.1 грн до 3827.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
C3M0030090K Код товару: 143865 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Reverse recovery time: 62ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 149W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 87nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
C3M0030090K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Reverse recovery time: 62ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 149W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 87nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 |
товар відсутній |