C3M0021120K WOLFSPEED
Виробник: WOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2655.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0021120K WOLFSPEED
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 469W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0021120K за ціною від 1726.31 грн до 2859.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 3243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 469W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V |
на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0021120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|