C3M0015065D Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2495.64 грн |
30+ | 2363.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0015065D Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V.
Інші пропозиції C3M0015065D за ціною від 2086.54 грн до 4076.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mOhm, 650V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C3M0015065D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |