на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 509.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M1000170D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції C2M1000170D за ціною від 420.97 грн до 898.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.1Ω Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 1.7kV Reverse recovery time: 20ns Gate charge: 13nC Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Polarisation: unipolar Power dissipation: 69W |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V |
на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.1Ω Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 1.7kV Reverse recovery time: 20ns Gate charge: 13nC Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Polarisation: unipolar Power dissipation: 69W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |