![C2M0040120D C2M0040120D](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c68f0717c0f15bc3f91f9b63c5a0b9f43fc437b1/to-247-generic_creeimg.jpg)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 2617.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M0040120D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції C2M0040120D за ціною від 2578.94 грн до 3619.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 54ns |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 54ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M0040120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
C2M0040120D Код товару: 173103 |
![]() |
товар відсутній
|