BZW50-100B STMicroelectronics
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 83.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZW50-100B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-100B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 100 V, 179 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 111V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 111V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 100V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZW50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 179V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BZW50-100B за ціною від 25.49 грн до 261.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode TVS Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 100VWM 228VC R6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 1150pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 263A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 111V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 228V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 100VWM 228VC R6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 1150pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 263A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 111V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 228V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 100V Breakdown voltage: 111V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W 100V Bidirect |
на замовлення 600 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BZW50-100B | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-100B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 100 V, 179 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 111V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 111V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 100V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZW50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 179V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 100V Breakdown voltage: 111V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BZW50-100B | Виробник : ST |
100V; 5000W; bidirectional 100V; 5000W; bidirectional BZW50-100B R6 DTBZW50-100B кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BZW50-100B | Виробник : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case D-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BZW50-100B | Виробник : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case D-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
TVS Diode Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Diode TVS Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Diode TVS Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BZW50-100B | Виробник : STMicroelectronics |
Diode TVS Single Bi-Dir 100V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
товар відсутній |