Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > BZW06-33B R0

BZW06-33B R0 TAIWAN SEMICONDUCTOR

Name: BZW06-33B R0
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: 9349747-8
Price: 10.31 UAH
Availability: InStock

Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1µA

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
22+	18.29 грн
27+	13.58 грн
78+	10.89 грн
214+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 22

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BZW06-33B R0 TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 33.3V, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 11.1A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO204AC, Mounting: THT, Leakage current: 1µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BZW06-33B R0 за ціною від 12.2 грн до 21.95 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BZW06-33B R0

Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)