![BZT52B5V1S R9G BZT52B5V1S R9G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2514/MFG_SOD-123F-SERIES.jpg)
BZT52B5V1S R9G Taiwan Semiconductor Corporation
![BZT52B2V4S SERIES_H2212.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.08 грн |
29+ | 10.24 грн |
100+ | 5.01 грн |
500+ | 3.92 грн |
1000+ | 2.72 грн |
2000+ | 2.36 грн |
5000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52B5V1S R9G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-90, SOD-323F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: SOD-323F, Part Status: Active, Power - Max: 200 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V.
Інші пропозиції BZT52B5V1S R9G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZT52B5V1S R9G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BZT52B5V1S R9G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BZT52B5V1S R9G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BZT52B5V1S R9G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |