![BZD27C4V3P-HE3-08 BZD27C4V3P-HE3-08](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5789/112%7EDO219AB%28SMF%29%7E%7E2.jpg)
BZD27C4V3P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![bzd27series.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.81 грн |
6000+ | 8.97 грн |
9000+ | 8.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C4V3P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZD27C4V3P-HE3-08 за ціною від 8.08 грн до 31.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27C4V3P-HE3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 26682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C4V3P-HE3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C4V3P-HE3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |