![BZD27B110P-M3-08 BZD27B110P-M3-08](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5789/112%7EDO219AB%28SMF%29%7E%7E2.jpg)
BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![bzd27b-mseries.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.34 грн |
100+ | 12.79 грн |
500+ | 11.12 грн |
1000+ | 7.56 грн |
2000+ | 6.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V, Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V.
Інші пропозиції BZD27B110P-M3-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27B110P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BZD27B110P-M3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |