Технічний опис BYW29-200
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYW29-200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYW29-200 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BYW29-200 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BYW29-200 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BYW29-200 | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
BYW29-200 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |