Технічний опис BYV541V200 EUPEC
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: ISOTOP®, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYV541V200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BYV541V200 | Виробник : ST |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
BYV541V200 | Виробник : ST | B4-2 |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
BYV541V-200 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BYV541V-200 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: ISOTOP® Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BYV541V-200 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |