![BYV410X-600PQ BYV410X-600PQ](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A1/8E/00/00/0/59418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=263cfba794860b61634ab5d386e1ae684a34b3d1)
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors
![BYV410X-600P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
![_ween_psg2020.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; Ufmax: 1.3V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 120A
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 60.8 грн |
8+ | 50.81 грн |
22+ | 40.11 грн |
60+ | 37.89 грн |
500+ | 37.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYV410X-600PQ за ціною від 31.29 грн до 72.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BYV410X-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 9563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV410X-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; Ufmax: 1.3V Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD113; TO220FP-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 20A Max. forward voltage: 1.3V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BYV410X-600PQ | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
BYV410X-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |