![BYT78-TAP BYT78-TAP](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/6/56/2/832/vsh_/manual/85602-pt-medium.jpg)
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT78-TAP Vishay
Description: VISHAY - BYT78-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 250 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-64, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 250ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BYT78-TAP за ціною від 27.68 грн до 86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 8335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 21245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 150µA Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BYT78-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 150µA Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |