![BYT52M-TAP BYT52M-TAP](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3C/3E/00/00/0/58307_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=ee3030c8f626d86251541030d1e0d6678694ce14)
BYT52M-TAP VISHAY
![byt52.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.15mA
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.12 грн |
20+ | 18.22 грн |
50+ | 16.48 грн |
58+ | 14.74 грн |
158+ | 13.94 грн |
1000+ | 13.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT52M-TAP VISHAY
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 1A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 50A, Case: SOD57, Max. forward voltage: 1.3V, Leakage current: 0.15mA, Reverse recovery time: 200ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYT52M-TAP за ціною від 16.46 грн до 49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYT52M-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |