BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching BYR29X-800P/TO-220F/STANDARD M
Diodes - General Purpose, Power, Switching BYR29X-800P/TO-220F/STANDARD M
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.22 грн |
10+ | 59.47 грн |
100+ | 39.68 грн |
500+ | 31.37 грн |
1000+ | 25.01 грн |
2000+ | 22.78 грн |
5000+ | 20.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220FP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції BYR29X-800PQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BYR29X-800PQ | Виробник : NXP Semiconductors | Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
товар відсутній |
||
BYR29X-800PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |