![BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/aece1e43d522b023203d0c5b9d19027868e4abe4/do-213ab.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 7.49 грн |
10000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM11-600-E3/97 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYM11-600-E3/97 за ціною від 5.96 грн до 30.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 7744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BYM11-600-E3/97 Код товару: 159925 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.3V Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: DO213AB Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 30A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYM11-600-E3/97 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.3V Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: DO213AB Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 30A |
товар відсутній |