BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 8.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-213AB, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 830mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYM10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BYM10-800-E3/96 за ціною від 5.68 грн до 33.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM10-800-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 30A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: SMD Case: DO213AB Capacitance: 8pF Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA |
на замовлення 6120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM10-800-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYM10-800-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 30A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: SMD Case: DO213AB Capacitance: 8pF Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated |
на замовлення 36446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYM10-800-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BYM10-800-E3/96 Код товару: 67584 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BYM10-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |