![BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/10/4/16/45/56/924199/vsh_/manual/do-213ab.jpg)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 5.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM10-600-E3/97 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYM10-600-E3/97 за ціною від 7.03 грн до 33.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
BYM10-600-E3/97 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYM10-600-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |