![BYM10-50HE3/96 BYM10-50HE3/96](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/bym1050.jpg)
BYM10-50HE3/96 Vishay General Semiconductor
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 37.32 грн |
11+ | 29.97 грн |
100+ | 17.7 грн |
500+ | 13.31 грн |
1000+ | 9.97 грн |
1500+ | 8.78 грн |
9000+ | 8.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM10-50HE3/96 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції BYM10-50HE3/96
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYM10-50HE3/96 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BYM10-50HE3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товар відсутній |