BY251P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1400+ | 12.08 грн |
| 2800+ | 10.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BY251P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BY251P-E3/54 за ціною від 9.7 грн до 35.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BY251P-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 4067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BY251P-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 7199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BY251P-E3/54 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BY251P-E3/54 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BY251P-E3/54 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 200V Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 3µs Case: DO201AD Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 5µA Semiconductor structure: single diode Load current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 200V Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 3µs Case: DO201AD Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 5µA Semiconductor structure: single diode Load current: 3A |
товар відсутній |