BXP7N65P

BXP7N65P BRIDGELUX


BXP7N65.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.12 грн
10+ 38.66 грн
25+ 34.55 грн
37+ 22.28 грн
102+ 21.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP7N65P BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 167W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 21nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP7N65P за ціною від 24.86 грн до 73.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXP7N65P BXP7N65P Виробник : BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.34 грн
10+ 48.18 грн
25+ 41.46 грн
37+ 26.73 грн
102+ 25.28 грн
1000+ 24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4