BXP4N65F

BXP4N65F BRIDGELUX


BXP4N65.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.21 грн
19+ 18.73 грн
25+ 16.74 грн
84+ 9.86 грн
231+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP4N65F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 37W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.8Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP4N65F за ціною від 11.15 грн до 30.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXP4N65F BXP4N65F Виробник : BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.25 грн
12+ 23.34 грн
25+ 20.09 грн
84+ 11.83 грн
231+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXP4N65F
Код товару: 201270
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній