BXP2N65D

BXP2N65D BRIDGELUX


BXP2N65.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP2N65D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 1.21A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 44W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP2N65D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXP2N65D BXP2N65D Виробник : BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній