BUL416T STMicroelectronics
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 214-223 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 295.53 грн |
10+ | 262.43 грн |
25+ | 216 грн |
100+ | 187.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUL416T STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 800V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 110 W.
Інші пропозиції BUL416T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BUL416T Код товару: 55506 |
Виробник : ST |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Uceo,V: 800 V Ucbo,V: 800 V Ic,A: 6 A |
товар відсутній
|
||
BUL416T | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 800V 6A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
BUL416T | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 110 W |
товар відсутній |