BUK9Y25-60E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.48 грн |
| 3000+ | 23.56 грн |
| 7500+ | 22.32 грн |
| 10500+ | 19.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y25-60E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9Y25-60E,115 за ціною від 20.41 грн до 73.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 66951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y25-60E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |