BUK9Y19-55B,115 NEXPERIA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y19-55B,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9Y19-55B,115 за ціною від 22.53 грн до 78.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 43500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 110696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm |
на замовлення 13964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 44793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK |
на замовлення 41180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm |
на замовлення 13964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 Транзистор Код товару: 192495 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |