BUK9Y19-100E,115 NEXPERIA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 35.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y19-100E,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9Y19-100E,115 за ціною від 30.68 грн до 110.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |