![BUK9Y15-100E,115 BUK9Y15-100E,115](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/48/21/389/nexpe_/manual/sot669_3d.jpg)
BUK9Y15-100E,115 NEXPERIA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 44.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y15-100E,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9Y15-100E,115 за ціною від 46.07 грн до 121.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 274A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BUK9Y15-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 274A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |