BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 53.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9Y12-100E,115 за ціною від 51.36 грн до 161.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 238W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y12-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |