BUK9Y107-80EX NEXPERIA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 13.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y107-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9Y107-80EX за ціною від 13.52 грн до 55.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9Y107-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 105472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y107-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK9Y107-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |