BUK9V13-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 42.75 грн |
| 3000+ | 38.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9V13-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 46W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9V13-40HX за ціною від 35.19 грн до 103.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9V13-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9V13-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 5054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9V13-40HX | Виробник : NXP |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BUK9V13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 8-Pin LFPAK-D |
товар відсутній |