![BUK9M9R1-40EX BUK9M9R1-40EX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2304/MFG_1727%3BSOT1210%3B%3B8_LFPAK33.jpg)
BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc.
![BUK9M9R1-40E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 26.48 грн |
3000+ | 22.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M9R1-40EX за ціною від 20.77 грн до 68.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry On-state resistance: 18.1mΩ Drain current: 45.5A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 258A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry On-state resistance: 18.1mΩ Drain current: 45.5A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 258A |
товар відсутній |