![BUK9M8R5-40HX BUK9M8R5-40HX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2304/MFG_1727;SOT1210;;8_LFPAK33.jpg)
BUK9M8R5-40HX Nexperia USA Inc.
![BUK9M8R5-40H.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 28.45 грн |
3000+ | 25.79 грн |
7500+ | 24.56 грн |
10500+ | 21.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M8R5-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M8R5-40HX за ціною від 22.81 грн до 64.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M8R5-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BUK9M8R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
BUK9M8R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 21.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M8R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
BUK9M8R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 21.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |