BUK9637-100E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 62.12 грн |
| 1600+ | 48.73 грн |
| 2400+ | 45.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9637-100E,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUK9637-100E,118 за ціною від 41.38 грн до 141.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9637-100E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9637-100E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9637-100E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 3918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9637-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9637-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9637-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 123A; 96W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Application: automotive industry Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A On-state resistance: 0.102Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 123A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9637-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 123A; 96W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Application: automotive industry Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A On-state resistance: 0.102Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 123A |
товар відсутній |