BUK962R5-60E,118

BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc.


BUK962R5-60E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+155.53 грн
1600+ 128.24 грн
2400+ 120.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK962R5-60E,118 за ціною від 114.29 грн до 279.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK962R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.82 грн
10+ 208.28 грн
100+ 168.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Виробник : Nexperia BUK962R5_60E-2937741.pdf MOSFET BUK962R5-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.69 грн
10+ 231.62 грн
100+ 162.38 грн
800+ 123.35 грн
2400+ 115.69 грн
4800+ 114.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Виробник : NEXPERIA 1747232571518695buk962r5-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Виробник : Nexperia 1747232571518695buk962r5-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK962R5-60E,118 Виробник : NEXPERIA BUK962R5-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1008A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1008A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
BUK962R5-60E,118 Виробник : NEXPERIA BUK962R5-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1008A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1008A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній