BUK9620-100B,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 86.36 грн |
| 1600+ | 70.56 грн |
| 2400+ | 67.04 грн |
| 5600+ | 60.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9620-100B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUK9620-100B,118 за ціною від 63.49 грн до 181.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9620-100B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9620-100B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9620-100B/SOT404/D2PAK |
на замовлення 3446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9620-100B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9620-100B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BUK9620-100B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9620-100B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9620-100B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |