![BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9f20d59391c6a60c7f10d747a6029a1d99970516/sot404_3d.jpg)
BUK9612-55B,118 Nexperia
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4800+ | 55.42 грн |
5600+ | 55.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9612-55B,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9612-55B,118 за ціною від 46.89 грн до 135.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 68800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9612-55B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK9612-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; Idm: 322A; 157W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Pulsed drain current: 322A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9612-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; Idm: 322A; 157W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Pulsed drain current: 322A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |