BUK9608-55B,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 83.44 грн |
| 1600+ | 68.18 грн |
| 2400+ | 64.77 грн |
| 5600+ | 58.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9608-55B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9608-55B,118 за ціною від 63.53 грн до 187.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9608-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9608-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9608-55B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9608-55B/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9608-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9608-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9608-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 439A Power dissipation: 203W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9608-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 439A Power dissipation: 203W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Application: automotive industry |
товар відсутній |