![BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/568_DPak.jpg)
BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc.
![BUK9217-75B.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.64 грн |
5000+ | 43.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9217-75B,118 за ціною від 39.55 грн до 139.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm |
на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm |
на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9217-75B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; Idm: 256A; 167W; DPAK Application: automotive industry Mounting: SMD Drain-source voltage: 75V Drain current: 45A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 256A Case: DPAK кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK9217-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; Idm: 256A; 167W; DPAK Application: automotive industry Mounting: SMD Drain-source voltage: 75V Drain current: 45A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 256A Case: DPAK |
товар відсутній |