BUK7Y8R7-60EX Nexperia
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 36.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y8R7-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK7Y8R7-60EX за ціною від 38.01 грн до 123.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 19.5mΩ Drain current: 61A Drain-source voltage: 60V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate charge: 46nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 347A Application: automotive industry Power dissipation: 147W Polarisation: unipolar |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 19.5mΩ Drain current: 61A Drain-source voltage: 60V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate charge: 46nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 347A Application: automotive industry Power dissipation: 147W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK7Y8R7-60E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 10194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y8R7-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |