BUK7Y7R8-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5347 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 61.53 грн |
| 3000+ | 56.29 грн |
| 7500+ | 54.17 грн |
| 10500+ | 49.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y7R8-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R8-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0059 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUK7Y7R8-80EX за ціною від 52.34 грн до 139.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y7R8-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0059 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5347 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7Y7R8-80E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 441A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 78A Pulsed drain current: 441A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK7Y7R8-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 441A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 78A Pulsed drain current: 441A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |