Продукція > NEXPERIA > BUK7Y3R1-80MX
BUK7Y3R1-80MX

BUK7Y3R1-80MX NEXPERIA

4190489.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.76 грн
12+ 69.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y3R1-80MX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK7Y3R1-80MX за ціною від 52.63 грн до 136.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7Y3R1-80MX BUK7Y3R1-80MX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.85 грн
10+ 104.86 грн
100+ 83.46 грн
500+ 66.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK7Y3R1-80MX BUK7Y3R1-80MX Виробник : Nexperia BUK7Y3R1_80M-3394418.pdf MOSFETs BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.26 грн
10+ 111.93 грн
100+ 77.86 грн
250+ 75.08 грн
500+ 65.98 грн
1000+ 56.59 грн
1500+ 52.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK7Y3R1-80MX BUK7Y3R1-80MX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній