BUK7Y38-100EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y38-100EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0245ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK7Y38-100EX за ціною від 23 грн до 84.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7Y38-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y38-100EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7Y38-100E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y38-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0245ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y38-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |