BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 97.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 294, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294, Bauform - Transistor: SOT-669, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK7Y1R7-40HX за ціною від 73.43 грн до 249.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 294 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK |
на замовлення 10640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 294 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 294 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y1R7-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK7Y1R7-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |