![BUK7Y19-100EX BUK7Y19-100EX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2228/MFG_LFPAK56_POWER-SO8_SOT669.jpg)
BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.
![BUK7Y19-100E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 35.74 грн |
3000+ | 32.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y19-100EX Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 225A, Power dissipation: 169W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 52.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 55nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BUK7Y19-100EX за ціною від 39.65 грн до 81.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 225A Power dissipation: 169W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
BUK7Y19-100EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 225A Power dissipation: 169W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |